分子束外延 MBE 是一種晶體生長技術, 首先將待成長的芯片放置在超高真空腔體中（~10-10Torr）, 和將需要生長的單晶物質按元素的不同分別放在噴射爐中, 當爐溫升至一定溫度時, 爐中的材料會以原子束或分子束的形式蒸發出來, 此時基板也被加熱至一適當的溫度, 分子束射至基板時, 就會與基板表面的原子結合而生長出極薄的, 可薄至單原子層水平, 單晶體和幾種物質交替的超晶格結構.
分子束外延 MBE系統需要在超高真空環境中進行, 對真空度要求及其高, 真空可到 2×10-10 torr, 同時需要分子泵低振動, 低噪音, 清潔無油確保超高真空的穩定性已保證晶格的生長和后期的探測分析.
分子束外延設備在生長二維材料以及拓撲材料, 氧化物方面都有不錯的性能. 例如：GaAs/ InP和GaSb外延, HgCdTe外延/ GaN/ InN和AlN外延/ Ⅱ-Ⅵ族外延/ SiGe外延/ Si/金屬/氧化物外延等
上海伯東Pfeiffer 真空泵用于 MBE 的客戶案例
某真空系統集成商搭建的MBE設備, 由用戶方采購 Pfeiffer 真空泵 HiPace 系列渦輪分子泵和 ACP干泵用于分子束外延系統,
可以生長小樣品及最大6“樣品 SiC及 PBN鎢絲等加熱元件, 溫度可以加到900度, 如果兩寸以上樣品可以到1100度.
腔體采有SS316材質, 真空可達到10-10Torr, 使用伯東 Pfeiffer 真空泵 HiPace分子泵及配合使用其他品牌離子泵, 可配備晶振, 束流監控器, 高能電子槍以及監控軟件.
可配備固體源/ 氣體源/ALD閥/ 等離子體增強型束源爐及電子回旋共振束源爐
標準RHEED系統（實時外延監測）
自動化控制軟件
分子束外延超高真空系統用伯東 Pfeiffer 真空泵分子泵
伯東 Pfeiffer 渦輪分子泵 HiPace 700
接口: DN 160 CF-F
極限真空: < 5X10-10 mbar
氮氣壓縮比: > 1X1011
抽速@N2: 685 l/s
伯東 Pfeiffer 真空泵 ACP28 多級羅茨泵
接口: DN25 ISO-KF
抽速: 27m3/h
上海伯東是德國 Pfeiffer 真空泵, 檢漏儀, 質譜儀, 真空計, 美國 KRI 考夫曼離子源, 美國 inTEST 高低溫沖擊測試機, 美國 Ambrell 感應加熱設備和日本 NS 離子蝕刻機等進口知名品牌的指定代理商.
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